【中央日報】信じていたメモリー半導体技術まで中国に追いこされ、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーでは日本のキオクシアがＳＫハイニックスとサムスン電子を追い越した

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信じていたメモリー半導体技術まで中国に追いつかれた。工程・量産で優位を守るだけで、基礎研究や設計能力でシステムとメモリーに関係なく中国に遅れをとったことがわかった。

韓国科学技術企画評価院（ＫＩＳＴＥＰ）が２３日に発刊した報告書「３大ゲームチェンジャー分野技術水準深層分析」によると、韓国半導体の「基礎能力」技術は、メモリー、パッケージング、電力、センシング、人工知能（ＡＩ）の５分野のうち４分野で中国に追い越され、先端パッケージングだけ同点だった。今回報告書の質問に参加した韓国国内の専門家３９人は、２０２２年にはメモリー、パッケージング、センシングの３分野の技術は韓国が中国をリードしていると評価した。しかし２年でひっくり返った。

最高先導国の技術水準を１００％とした場合、高集積・抵抗基盤メモリー技術で中国が９４．１％で韓国の９０．９％を上回った。高性能・低電力ＡＩ半導体は韓国が８４．１％、中国が８８．３％、電力半導体は韓国が６７．５％、中国が７９．８％、次世代高性能センシングは韓国が８１．３％、中国が８３．９％で、いずれも韓国が押された。事業化基準では、韓国はメモリーと先端パッケージングだけ中国をリードした。報告書は、今後核心人材流出、米中牽制、各国の自国中心半導体政策などが韓国半導体に否定的影響を、ＡＩ半導体市場拡大が肯定的影響を与えられると見た。

日本のメモリーも浮上している。最近日本経済新聞は日本のメモリー半導体企業キオクシアが３３２層ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの開発に成功したと報道した。積層数でＳＫハイニックスの３２１層とサムスン電子の２８６層を上回る。現在世界のＮＡＮＤ市場シェアはサムスン電子が３６．９％、ＳＫハイニックスが２２．１％、キオクシアが１３．８％の順だ。

中央日報
https://s.japanese.joins.com/Jarticle/330250